半导体三极管与场效应管的一重要区别是什么？

1、IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有

IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A电磁噪音很小B电流波形大为改善，电机的转矩增大CIGBT管二次击穿现象小D最大管子容量比GTO管大的多

2、半导体三极管与场效应管的一个重要区别是：三极管为（）控制元件，场效应管为（）

半导体三极管与场效应管的一个重要区别是：三极管为（）控制元件，场效应管为（）控制元件。

3、三极管中，硅管的结构主要是（）。

三极管中，硅管的结构主要是（）。A平面型B合金型C控制型D整流型

4、晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电压间的相位关系为

晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电压间的相位关系为（）AA、均为同相BB、均为反相CC、前者为同相，后者为反相DD、前者为反相，后者为同相

5、MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；

MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A具有非常高的输入电阻；B具有非常小的输入电阻；C具有单向导通特性；

6、半导体二极管的使用要注意工作（），反向工作电压不能超过相应的技术参数。如发光

半导体二极管的使用要注意工作（），反向工作电压不能超过相应的技术参数。如发光二极管不加限流电阻，其工作电流可能超过而烧坏。因此切不可将二极管直接与电源形成回路。AA、...