在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

1、在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（

在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。

2、N型杂质半导体中，多数载流子是（）

N型杂质半导体中，多数载流子是（）A正离子B负离子C空穴D自由电子

3、杂质半导体中少数载流子浓度（）

杂质半导体中少数载流子浓度（）A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关

4、在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷

5、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

6、（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流

（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。