兴奋性突触后电位是（）。

参考答案

参考解析：

EPSP的形成机制是兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，配体门控通道（化学门控通道）开放，因此后膜对Na+和K+的通透性增大。由于Na+的内流大于K+的外流，故发生净的正离子内流，导致细胞膜的局部去极化。

分类：神经电生理(脑电图)综合练习题库

兴奋性突触后电位是（）A动作电位B静息电位C电紧张电位D局部电位E平衡电位

兴奋性突触后电位是AA．静息电位BB．动作电位CC．阈电位DD．局部电位EE．后电位

兴奋性突触后电位是（）A动作电位B阈电位C局部电位D静息电位E后电位

兴奋性突触后电位发生时，突触后膜膜电位的特征是（）A超极化B去极化C反极化D复极化E超射

兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A突触前膜均去极化B突触后膜均去极化C突触前膜释放的递质性质一样D突触后膜对离子通透性一样E产生的突触后电位的最终效应一样

兴奋性突触后电位是指突触后膜出现（）A极化B去极化C超极化D反极化E复极化

编辑推荐