应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。
- A硒鼓检测器
- BIP成像转换器
- C直接转换平板探测器
- D间接转换平板探测器
- E多丝正比室检测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。
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6、金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于()。
金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于()。A0.02B0.03C0.04D0.05