下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）

1、下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加...

2、下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）

下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）A与试件上总的磁通密度有关B与缺陷自身高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

3、下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）

下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而...

4、下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）AA．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小BB．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响CC．交流磁化时，...

5、下列各项关于漏肩风的叙述，错误的是（）.

下列各项关于漏肩风的叙述，错误的是（）.A本病好发年龄为50岁左右B寒湿是导致该病的重要诱因C本病相当于西医学的肩周炎D漏肩风是以肩部疼痛，活动受限为主症E又称"肩凝症"、"冻...

6、下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）AA、它与试件上的磁通密度有关BB、它与缺陷的高度有关CC、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大DD、以上都对