PMOS管的开启电压UT为（）。

1、硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）

硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）AA、05VBB、07VCC、04VDD、02V

2、二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。

二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A0.1；0.2B0.2；0.3C0.5；0.1D0.5；0.4

3、二极（硅）管的死区电压为（）。

二极（硅）管的死区电压为（）。A0.1VB0.5VC1VD1.2V

4、风电机组高电压穿越运行时间要求为当1.15＜UT≤1.20时，具有每次运行（

风电机组高电压穿越运行时间要求为当1.15＜UT≤1.20时，具有每次运行（）ms能力。AA、150BB、160CC、200DD、625

5、简述PMOS管的具体结构。

简述PMOS管的具体结构。

6、在线监测装置应能承受电压暂降和短时中断为（）UT，持续时间（）个周波的电压暂

在线监测装置应能承受电压暂降和短时中断为（）UT，持续时间（）个周波的电压暂降和短时中断干扰。A60%；5B50%；10C50%；20D60％；10