高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区,这三个区划分的剂量点是()
- Ad100和d90
- Bd100和d85
- Cd85和d90
- Dd50和d85
- Ed95和d107
高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区,这三个区划分的剂量点是()
高能电子束的百分深度剂量特性曲线可划分为四个区段,即剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区。三个主要的区域为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区,用100%和85%剂量点来划分。剂量跌落区即85%剂量点后的吸收剂量下降很快,可以有效地保护正常组织。
1、高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区,这三个区划分的剂量点是()
高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区,这三个区划分的剂量点是()Ad100和d90Bd100和d85Cd85和d90Dd50和d85Ed95和d107
2、高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A随深度增加,等剂量线向外侧扩张B电子束入射距离较远C电子束入射能量较高D电子束中包含一定数量的X射...
高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域()。A剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区...
4、由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()A能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少B能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂...
高能电子束的PDD曲线可大致分为()A剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D表面剂量区、...
高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后()A50%B60%C75%D85%E95%