直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆

1、产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A升压试验变压器TB降压变压器C滤波电容CD保护电阻R

2、在直流泄漏试验中，测量高压直流电压时通常采用（）。

在直流泄漏试验中，测量高压直流电压时通常采用（）。A高电阻与微安表串联B高电阻与电压表串联C低电压与电压表并联D低电压与电流表串联

3、直流高电压试验，高压硅堆上的反峰电压使用值（）硅堆的额定反峰电压，其额定整流

直流高电压试验，高压硅堆上的反峰电压使用值（）硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A不能超过B不能小于C应等于D小于

4、高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。

高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A2倍B3倍C5倍

5、在直流耐压试验的半波整流线路中，高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅

在直流耐压试验的半波整流线路中，高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的倍数为（）。A2倍B1倍C1/2倍

6、在直流泄漏试验中，测量高压直流电压时通常采用（）。

在直流泄漏试验中，测量高压直流电压时通常采用（）。A高电阻与微安表串联B低电阻与微安表串联C低电阻与电压表串联D高电阻与电压表串联