金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚

1、金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下

金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）A1～2分钟B3～5分钟C5～10分钟D10～12分钟E12～15分钟

2、某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料

某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是不正确的？（）AA.用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物BB.用...

3、某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料

某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下操作步骤错误的是（）A用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B用钨钢钻磨除贵金...

4、贵金属烤瓷金属基底冠桥，用何种氧化铝砂作喷砂处理（）

贵金属烤瓷金属基底冠桥，用何种氧化铝砂作喷砂处理（）AA.15～25μmBB.25～35μmCC.35～50μmDD.50～100μmEE.100～120μm

5、金属基底冠桥粗化处理时，用何种氧化铝砂喷砂处理（）

金属基底冠桥粗化处理时，用何种氧化铝砂喷砂处理（）A15～25μmB25～35μmC35～50μmD50～100μmE100～120μm

6、某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料

某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是错误的（）A用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B用钨刚钻磨除...