FPM DRAM芯片中的快页读写方式就是猝发传送方式。

1、存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。

存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。A正确B错误

2、与DRAM相比，静态RAM、SRAM的容量与读写速度为（）

与DRAM相比，静态RAM、SRAM的容量与读写速度为（）AA、容量更大，读写速度更高BB、容量不太大，读写速度更高CC、容量不太大，读写速度不很高DD、容量更大，读写速度不很高

3、DRAM芯片怎么有行地址又有列地址？

DRAM芯片怎么有行地址又有列地址？

4、某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为

某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（）。A8；512B512；8C18；8D19；8

5、存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。

存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。A正确B错误

6、EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是（）。

EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是（）。A没有区别BEDO RAM比FPM DRAM的快CFPM DRAM比EDO RAM的快DEDO RAM比FPM DRAM小EFPM DRAM比EDO RAM价格高