探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

1、探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半

探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半径）。

2、探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。

探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。AA、N=1.22λ/DBB、N=D/4λCC、N=D2/4λDD、N=2/D

3、探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A正确B错误

4、近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。

近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。A缩短B不变C增加D扩散

5、探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些不利因素？

探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些不利因素？

6、由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。

由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A对探伤有利B对探伤不利C半扩散角增大D超声波能量发散