某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS,Uj=0.5V,Ec=24V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2V,gc=10mS,且放大器工作于临界状态。试求:θ,Ic0,Ic1m,Ucm?
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1、已知谐振功率放大器,晶体管转移特性的斜率Eb=-0.2V,Ec=24V,U
已知谐振功率放大器,晶体管转移特性的斜率Eb=-0.2V,Ec=24V,Uj=0.6V,gcr=0.4A/V,Rc=50Ω,Ubm=1.6V,Po=1W,求Icmax,Ucm,ηc?
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2、已知一高频放大器,Ec=12V ,负载谐振电阻Rc=25 Ω,
已知一高频放大器,Ec=12V ,负载谐振电阻Rc=25 Ω,其集电极脉冲电流的参数Icmax=1A,θ=65° ,α0(65°)=0.236,α1(65°)=0.414。试计算 P0,PS,ηc。
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3、某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.9S,Uj=0
某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.9S,Uj=0.6V,Ec=18V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2.5V,Ucm=16V集电极电流脉冲幅值Icmax=1.8A,且放大器工作于临界状态。试求:Ps,Po,Pc,ηc?
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4、有一谐振功率放大器,已知晶体管的gc=2000ms,Uj=0.5V,Ec=
有一谐振功率放大器,已知晶体管的gc=2000ms,Uj=0.5V,Ec=12V,谐振电阻Rc=130Ω,集电极效率ηc=74.6%,Po=500mW,θ=90°,且工作于欠压状态。试求:Ucm,Ic1m,Ic0,Icmax?
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5、晶体管3DG12B组成谐振功率放大器,已知电源电压Ec=18V,Ucm=1
晶体管3DG12B组成谐振功率放大器,已知电源电压Ec=18V,Ucm=16V,Icmax=236.5mA。电压利用系数ζ=0.94,gcr=0.219S,θ=80°,且放大器工作于临界状态。试求:Ps,Po,Pc,ηc?
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6、已知谐振功率放大器工作在临界状态,晶体管转移特性的斜率g=10ms,U=0
已知谐振功率放大器工作在临界状态,晶体管转移特性的斜率g=10ms,U=0.5V,Eb=-0.5V,Ubm=2V,晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V,Ec=24V。求(1)导通角θ; (2)输出电压振幅值Ucm