当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定,则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
- A正确
- B错误
当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定,则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
1、测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。
测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。A正确B错误
2、在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?
3、一台DW8—35型断路器,其A相一支套管的测试介损tgδ为7.9%;落下油桶
一台DW8—35型断路器,其A相一支套管的测试介损tgδ为7.9%;落下油桶时,为6.7%;去掉灭弧室时,为5.7%。这说明该套管的绝缘是良好的。A正确B错误
4、一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%,绝缘电阻1
一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%,绝缘电阻10000MΩ,末屏对地绝缘电阻为60MΩ,介损tgδ值16.3%,是否可以继续运行()。AA、可以,主绝缘良好BB、不可以,...
5、当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时,应测量末屏对地的介损,加压()
当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时,应测量末屏对地的介损,加压()。
6、用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有
用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。A大B相等C小D以上均不是