采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。

1、用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容C

用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）

2、测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？

测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？

3、用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级

用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。A10kVB1.1倍相电压C2.2倍相电压D线电压

4、用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A正确B错误

5、采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加

采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。A正确B错误

6、采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）

采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A全部绕组的绝缘状态B1/2绕组的绝缘状态C1/4绕组绝缘状态D只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、22...