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问题

干氧氧化法具备以下一系列的优点()。


干氧氧化法具备以下一系列的优点()。

  • A生长的二氧化硅薄膜均匀性好
  • B生长的二氧化硅干燥
  • C生长的二氧化硅结构致密
  • D生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
  • E生长的二氧化硅掩蔽能力强
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分类:集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
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