电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()
- A电子束无明显建成效应
- B电子束的皮肤剂量较高
- C电子束的照射范围平坦
- D电子束射程较短
- E电子束容易被散射
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()
1、电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加()。
电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加()。A表面剂量不变,高剂量坪区不变B表面剂量不变,高剂量坪区变宽C表面剂量增加,高剂量坪区变窄D表面剂量...
2、高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A随深度增加,等剂量线向外侧扩张B电子束入射距离较远C电子束入射能量较高D电子束中包含一定数量的X射...
3、电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()
电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()A表面剂量增加B最大剂量深度变深CX射线污染增加D剂量梯度变陡E高能电子束较低能电子束变化显著
4、由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()A能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少B能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂...
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C大致分3...
描述电子束百分深度剂量的参数不包括()ADS(表面剂量)BDX(韧致辐射剂量)CRr(剂量规定值深度)DRP(射程)EDr(剂量规定值)