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下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化

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分类：无损探伤工（技师、高级技师）题库,无损探伤工题库

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