多丝正比电离室探测器是（）

1、电离室探测射线依据的是（）。

电离室探测射线依据的是（）。A电离作用B荧光现象C感光效应D康普顿散射E光电效应

2、电离室探测射线依据的是（）

电离室探测射线依据的是（）A电离作用B荧光现象C感光效应D康普顿散射E光电效应

3、多丝正比电离室探测器是（）。

多丝正比电离室探测器是（）。A直接探测器B间接探测器C模拟探测器D平板探测器E动态探测器

4、多丝正比电离室探测器是（）

多丝正比电离室探测器是（）A直接探测器B间接探测器C模拟探测器D平板探测器E动态探测器

5、用涂铀电离室探测中子是通过（）方法间接探测中子

用涂铀电离室探测中子是通过（）方法间接探测中子

6、半导体探测器与空气电离室比较突出优点是（）

半导体探测器与空气电离室比较突出优点是（）A具有很高的灵敏度B不易受环境温度影响C对中低能X射线的测量较准确D不会产生暗电流E探头不易受损