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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部


离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

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  • B错误
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分类:集成电路工艺原理题库,电子与通信技术题库
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