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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的

如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

A大于
B等于
C小于
D有效的复合中心

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