刻蚀

1、刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。

刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A正确B错误

2、哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

3、在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

4、湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？

湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？

5、在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A正确B错误

6、刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。