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单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的


单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

  • A氮化硅
  • B二氧化硅
  • C光刻胶
  • D多晶硅
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分类:集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
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