锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。

1、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

2、锗二极管的正向压降通常为（）。

锗二极管的正向压降通常为（）。AA、0.3v左右BB、0.5v左右CC、0.6v左右DD、0.7v左右

3、锗二极管的正向电阻在（）左右。

锗二极管的正向电阻在（）左右。A1kΩB100kΩC5kΩD500kΩ

4、晶体三极管一般采用硅平面和锗平面工艺结构，两者的结构和工作原理不一样。（）

晶体三极管一般采用硅平面和锗平面工艺结构，两者的结构和工作原理不一样。（）A正确B错误

5、锗二极管的反向饱和电流（）μA。

锗二极管的反向饱和电流（）μA。A小于1B大于1C几十到几百D几百到几千

6、二极管按材料分锗二极管和硅二极管。

二极管按材料分锗二极管和硅二极管。A正确B错误