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对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。


对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。

  • A离子注入
  • B溅射
  • C淀积
  • D扩散
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分类:集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
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