解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。

1、禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体

禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

2、常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。AA.1.12BB.2.14CC.1.42DD.0.92

3、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的

如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。A大于B等于C小于D有效的复合中心

4、如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）

如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）A禁带变宽B少子迁移率增大C多子浓度减小D简并化

5、在高掺杂效应中，造成禁带收缩的主要原因是什么？

在高掺杂效应中，造成禁带收缩的主要原因是什么？

6、半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内

半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。