高电子迁移率晶体管(HEMT)速度高的主要原因是什么?
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电解质溶质的迁移率是()下的泳动速度。A单位时间B单位溶质质量C单位电场强度D单位静电引力
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3、同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。A正确B错误
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4、磁铁矿球团氧化时生成的赤铁矿微晶虽然具有高的迁移能力和长大。但球团强度是不高
磁铁矿球团氧化时生成的赤铁矿微晶虽然具有高的迁移能力和长大。但球团强度是不高的。A正确B错误
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5、外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。
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6、迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。
迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。