可学答题网 > 问答 > 集成电路技术综合练习题库
目录: 标题| 题干| 答案| 搜索| 相关
问题

高电子迁移率晶体管(HEMT)速度高的主要原因是什么?


高电子迁移率晶体管(HEMT)速度高的主要原因是什么?

参考答案
参考解析:
分类:集成电路技术综合练习题库
相关推荐

1、风机的主轴承温度高的原因?如何处理?

风机的主轴承温度高的原因?如何处理?

2、电解质溶质的迁移率是()下的泳动速度。

电解质溶质的迁移率是()下的泳动速度。A单位时间B单位溶质质量C单位电场强度D单位静电引力

3、同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。

同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。A正确B错误

4、磁铁矿球团氧化时生成的赤铁矿微晶虽然具有高的迁移能力和长大。但球团强度是不高

磁铁矿球团氧化时生成的赤铁矿微晶虽然具有高的迁移能力和长大。但球团强度是不高的。A正确B错误

5、外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。

6、迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。

迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。