下列（）晶片发射纵波的近场区最长。

1、探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半

探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半径）。

2、探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。AA、增加BB、减小CC、不变

3、探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A正确B错误

4、近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。

近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。A缩短B不变C增加D扩散

5、紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。

紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。A正确B错误

6、近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。