禁带宽度

1、用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。AA.低于BB.等于或大于CC.大于

2、常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。AA.1.12BB.2.14CC.1.42DD.0.92

3、为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。

为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。A正确B错误

4、用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。AA、低于BB、等于或大于CC、大于DD、小于或等于

5、存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。

存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。

6、材料的禁带宽度，最大的是（）

材料的禁带宽度，最大的是（）A金属；B杂质半导体；C绝缘体；D本征半导体；