晶体管工作在饱和区的条件是（）。

1、晶体管工作在放大区的条件是（）。

晶体管工作在放大区的条件是（）。AA．发射结正向偏置，集电结反向偏置BB．发射结反向偏置，集电结正向偏置CC．发射结正向偏置，集电结正向偏置DD．发射结反向偏置，集电结反向偏置

2、晶体三极管因偏臵条件不同，有（）、（）、饱和三种工作状态。

晶体三极管因偏臵条件不同，有（）、（）、饱和三种工作状态。

3、从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制

从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A正确B错误

4、绘图题：画出晶体管的输出特性曲线，并指出饱和区、截止区、放大区的范围。

绘图题：画出晶体管的输出特性曲线，并指出饱和区、截止区、放大区的范围。

5、振荡电路是利用晶体管的放大区和饱和区的特性工作的。

振荡电路是利用晶体管的放大区和饱和区的特性工作的。A正确B错误

6、工作在饱和区的三极管其特点是（）。

工作在饱和区的三极管其特点是（）。A失去了放大作用B失去了线性放大作用C成为非线性放大器