烤瓷合金的熔点应高于瓷烧结温度为
- A50~100℃
- B170~270℃
- C400℃以上
- D110~150℃
- E280~370℃
1、烤瓷合金在预氧化过程中形成一层氧化膜,该氧化膜与瓷产生的结合力为()
烤瓷合金在预氧化过程中形成一层氧化膜,该氧化膜与瓷产生的结合力为()A化学结合力B机械结合力C范德华力D残余应力E压缩结合力
低熔烤瓷材料的熔点温度为()A500℃以下B500~1000℃C11000℃以上D1200~1450℃E850~1050℃
金属的熔点高于瓷烧结温度是为了A有利于金瓷的化学结合B防止金属基底变形C防止瓷粉烧结后崩裂D有利于瓷粉的冷却E使瓷烧结后产生压应力
金属烤瓷材料的烧结温度与金属熔点的关系()A高于B低于C等于D无关
金属的熔点高于瓷烧结温度是为了()A有利于金瓷的化学结合B有利于瓷粉的冷却C防止瓷粉烧结后崩裂D防止金属基底变形E使瓷烧结后产生压应力
烤瓷用合金的熔化温度至少应高于烤瓷温度()A100℃B200℃C300℃D50℃