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耗尽型NMOS管
1、NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
2、对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
3、下列NMOS电路的特点错误的是（）。
下列NMOS电路的特点错误的是（）。A工作速度较快B集成度高C直流电压较高D适用大规模制造数字集成电路
4、增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。AUGS＞UTBUGS＜UTCUGS=0DUGS＞UT
5、增强型NMOS管
增强型NMOS管
6、耗尽型JFET
耗尽型JFET
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行政领导产生的方式有（）。..
