在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速

1、（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A刻蚀速率B刻蚀深度C移除速率D刻蚀时间

2、假如发生了某个生活事件，在（）的情况下我们可能体验到压力。

假如发生了某个生活事件，在（）的情况下我们可能体验到压力。AA、忽略了事件的存在BB、对事件漠不关心CC、抱怨事件给自己带来麻烦DD、对事件一无所知

3、晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。An型掺杂区BP型掺杂区C栅氧化层D场氧化层

4、假如有一个人倒在我们面前，我们第一步做什么？（）

假如有一个人倒在我们面前，我们第一步做什么？（）A打急救电话B把这个人放平C立即送往医院D在患者身上找药

5、在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

6、多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A二氧化硅B氮化硅C单晶硅D多晶硅