超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

1、光刻加工的工艺过程为：（）

光刻加工的工艺过程为：（）A①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

2、光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A正确B错误

3、最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A正确B错误

4、在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A正确B错误

5、光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率

光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

6、光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类

光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。