俄歇电子

1、考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复

考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命...

2、俄歇复合

俄歇复合

3、发射俄歇电子的放射性核素发挥最大治疗作用的衰变位置是（）

发射俄歇电子的放射性核素发挥最大治疗作用的衰变位置是（）AA.靠近DNABB.细胞膜上CC.胞浆内DD.组织间液EE.线粒体

4、发射俄歇电子的放射性核素发挥最大治疗作用的衰变位置是（）

发射俄歇电子的放射性核素发挥最大治疗作用的衰变位置是（）A靠近DNAB细胞膜上C胞浆内D组织间液E线粒体

5、光电子、荧光X射线以及俄歇电子的含义。

光电子、荧光X射线以及俄歇电子的含义。

6、通过电子俘获发射俄歇电子的放射性核素是（）。

通过电子俘获发射俄歇电子的放射性核素是（）。A131IB125IC212BiD32pE188Rb