半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。

1、实际金属晶体存在大量的晶体缺陷，按其形态分，主要有（）、（）和（）。

实际金属晶体存在大量的晶体缺陷，按其形态分，主要有（）、（）和（）。

2、根据几何特征，可将晶体缺陷分为（）

根据几何特征，可将晶体缺陷分为（）A点缺陷B线缺陷C面缺陷

3、实际晶体中主要存在三类缺陷，其中点缺陷有（）和（）等，线缺陷有位错，面缺陷有

实际晶体中主要存在三类缺陷，其中点缺陷有（）和（）等，线缺陷有位错，面缺陷有亚晶界等。

4、缺陷按其产生的时期可以分为（），（）和（）三类。

缺陷按其产生的时期可以分为（），（）和（）三类。

5、常见晶体的缺陷有（）缺陷、（）缺陷和（）缺陷三种。

常见晶体的缺陷有（）缺陷、（）缺陷和（）缺陷三种。

6、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。

按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。A热缺陷B杂质缺陷C非化学计量缺陷DA+B+C