金属基底冠除气目的,下列说法正确的是()
- A去除铸造过程中形成的氧化膜
- B去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物
- C排除合金中残留的气体
- D避免瓷熔附时出现气泡
- E在基底表面形成氧化膜
金属基底冠除气目的,下列说法正确的是()
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1、应用回切法制作PFM金属基底蜡型时,回切厚度下列说法正确的是()
应用回切法制作PFM金属基底蜡型时,回切厚度下列说法正确的是()A切缘2.0~2.5mm,唇侧1.5mm,舌侧1.0mmB切缘1.5~2.0mm,唇侧1.0mm,舌侧0.5~1.0mmC切缘2.0~2.5mm,唇侧1.0m...
有关烤瓷金属基底桥蜡型,说法不正确的是()A蜡型的厚度应均匀一致B表面应光滑无锐角C表面呈微小的凹凸状,利于金瓷结合D金属衔接处应避开咬合功能区,防止瓷裂E牙体缺损较大,...
有关烤瓷金属基底桥蜡型,说法不正确的是()。A蜡型的厚度应均匀一致B表面应光滑无锐角C表面呈微小的凹凸状,利于金瓷结合D金属衔接处应避开咬合功能区,防止瓷裂E牙体缺损较大...
4、应用回切法制作PFM金属基底蜡型时,回切厚度下列说法正确的是()
应用回切法制作PFM金属基底蜡型时,回切厚度下列说法正确的是()A切缘2.0~2.5mm,唇侧1.5mm,舌侧1.0mmB切缘1.5~2.0mm,唇侧1.0mm,舌侧0.5~1.0mmC切缘2.0~2.5mm,唇侧1.0m...
5、非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非
非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持的时间为()A1minB2minC3minD4minE5min
下列有关烤瓷金属内冠除气的说法,正确的是()A除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体,并形成氧化膜B贵金属需在半真空下加热10~15分钟即可C非贵金属需在半真空下加...