光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类

1、光刻加工的工艺过程为：（）

光刻加工的工艺过程为：（）A①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

2、光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A正确B错误

3、超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。A高分辨率B高灵敏度C精密的套刻对准D大尺寸E低缺陷

4、最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A正确B错误

5、光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率

光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

6、光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。A涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D前烘、涂胶、曝光、坚...