对于大多数结晶物系，晶体成长的控制步骤为（）。
- A扩散过程
- B表面反应过程
- C传热过程
- D3个过程共同控制
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在MGB1420万能磨床中，对于单结晶体管来说，一般选n在（）左右。AA、0.5~0.85BB、0.85~1CC、1~2DD、3~5
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如图所示单结晶体管振荡电路，决定控制角α的元件是（）。AA、ReBB、Re和C、eCC、RB2DD、RB1
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结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。