高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区，这三个区划分的剂量点是（）

1、高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）

高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）A随深度增加，等剂量线向外侧扩张B电子束入射距离较远C电子束入射能量较高D电子束中包含一定数量的X射...

2、高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）。

高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）。A剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区...

3、由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（）

由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（）A能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂...

4、高能电子束的PDD曲线可大致分为（）

高能电子束的PDD曲线可大致分为（）A剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D表面剂量区、...

5、高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后（）

高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后（）A50%B60%C75%D85%E95%

6、关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。

关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C大致分3...