热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。
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- B错误
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。
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1、在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约(
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。A4~6hB50min~2hC10~40minD5~10min
2、在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是采用HF和()的混和液对磨斜角进行化
在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是采用HF和()的混和液对磨斜角进行化学染色的。A乙醇BHCLCH2SO4DHNO3
HPLC与GC比较,可忽略纵向扩散项,主要原因是()。AA、柱前压力大BB、流速比GC的快CC、流动相黏度大DD、柱温低
4、HPLC与GC的比较,可以忽略纵向扩散项,这主要是因为()。
HPLC与GC的比较,可以忽略纵向扩散项,这主要是因为()。AA、柱前压力高BB、流速比GC快CC、流动相的粘度较大DD、柱温低
5、我们可以通过简单的结深测量和()测量来获得扩散层的重要信息。
我们可以通过简单的结深测量和()测量来获得扩散层的重要信息。A横向电阻B平均电阻率C薄层电阻D扩展电阻
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。A600~750℃B900~1050℃C1100~1250℃D950~1100℃