可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）

1、抑制性突触后电位产生的离子机制是（）

抑制性突触后电位产生的离子机制是（）ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流

2、抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。

抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。ANa+内流BK+内流CCa2+内流DClˉ内流EK+外流

3、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。ANa+、Cl-、K+，尤其是K+BCa2+K+、Cl-，尤其是Ca2+CNa+、K+，尤其是Na+DK+、Cl-，尤其是C1-EK+、Cl-、Na+，尤其是Cl-

4、突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。AK+、Cl-，尤其是K+BNa+、Cl-，尤其是Na+CK+、Cl-，尤其是Cl+DCa2+、Cl-，尤其是Ca2+ENa+、Cl-，尤其是Cl-

5、抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（）

抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（）A钙离子通道B钠离子通道C钾离子通道D氯离子通道E镁离子通道

6、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）ANa+、Cl-、K+，尤其是K+BCa2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+CNa+、K+，尤其是Na+DK+、Cl-，尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+