半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内

1、载流平行导体，当两根平行导体中的电流方向相同时，两导体相互（）。

载流平行导体，当两根平行导体中的电流方向相同时，两导体相互（）。A排斥B吸引C不作用D旋转

2、半导体中的载流子为（）。

半导体中的载流子为（）。AA、正离子BB、负离子CC、电子DD、自由电子和空穴

3、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（）

半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（）A散射机构；B复合机构；C杂质浓度梯度；D表面复合速度。

4、半导体中的载流子是电子和（）。

半导体中的载流子是电子和（）。A电子B空穴C离子

5、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）AA.变大，变小BB.变小，变大CC.变小，变小DD.变大，变大