半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:()的直接复合和通过禁带内的()进行复合。
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载流平行导体,当两根平行导体中的电流方向相同时,两导体相互()。A排斥B吸引C不作用D旋转
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半导体中的载流子为()。AA、正离子BB、负离子CC、电子DD、自由电子和空穴
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半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的()A散射机构;B复合机构;C杂质浓度梯度;D表面复合速度。
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半导体中的载流子是电子和()。A电子B空穴C离子
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N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()AA.变大,变小BB.变小,变大CC.变小,变小DD.变大,变大