PN结探测器中的耗尽层是怎样形成的？耗尽层的存在与实现高能量分辨率有什么关系

1、当（）后，就形成了PN结.

当（）后，就形成了PN结.AN型半导体内均匀掺入少量磷BP型半导体内均匀掺入少量硼CP型半导体和N型半导体紧密结合DP型半导体靠近N型半导体

2、就统计学特性而言，PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题，

就统计学特性而言，PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题，一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少？

3、当PN结外加正向电压时，PN结中的多子（）形成较大的正向电流。

当PN结外加正向电压时，PN结中的多子（）形成较大的正向电流。

4、HPGe探测器也是一种PN结探测器吗？为什么它可以实现较大的结区厚度？

HPGe探测器也是一种PN结探测器吗？为什么它可以实现较大的结区厚度？

5、当PN结外加正向电压时，（）增加，耗尽层变窄。

当PN结外加正向电压时，（）增加，耗尽层变窄。A中和电流B扩散电流C漂移电流D正弦电流

6、离层是怎样形成的？

离层是怎样形成的？