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产生突触前抑制的机制是（）
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1、抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流
2、突触前抑制产生是由于突触前膜（）
突触前抑制产生是由于突触前膜（）A产生超极B递质耗竭C释放抑制性递质D兴奋性递质释放减少E抑制性中间神经元兴奋
3、抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。ANa+内流BK+内流CCa2+内流DClˉ内流EK+外流
4、突触前抑制产生是由于突触前膜（）
突触前抑制产生是由于突触前膜（）A产生超极化B递质耗竭C释放抑制性递质D兴奋性递质释放减少E抑制性中间神经元兴奋
5、突触前抑制产生是由于突触前膜（）
6、突触前抑制的产生是由于（）。
突触前抑制的产生是由于（）。A突触前轴突末梢超极化B突触前轴突末梢去极化C突触后膜的兴奋性发生改变D突触前轴突末梢释放抑制性递质E突触后神经元超极化
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