产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
- A突触前末梢递质释放减少
- B突触后膜Ca2+电导降低
- C突触后膜Na+电导降低
- D中间神经元受抑制
- E突触后膜发生超极化
问题
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
参考解析：
分类：临床医学检验综合练习题库
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抑制性突触后电位产生的离子机制是（）ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流
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3、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。ANa+、Cl-、K+，尤其是K+BCa2+K+、Cl-，尤其是Ca2+CNa+、K+，尤其是Na+DK+、Cl-，尤其是C1-EK+、Cl-、Na+，尤其是Cl-
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关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）ACl通道开放可降低IPSPB多由抑制性中间神经元发放的冲动产生CIPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化DIPSP使神经...
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关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()AA．Cl通道开放可降低IPSPBB．多由抑制性中间神经元发放的冲动产生CC．IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化DD．IPS...