光刻工艺分为哪些步骤?
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光刻加工的工艺过程为:()A①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A正确B错误
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4、在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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5、光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率
光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。A涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D前烘、涂胶、曝光、坚...