突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()
- AK+、Cl-,尤其是K+
- BNa+、Cl-,尤优其是Na+
- CK+、Cl-,尤其是Cl-
- DCa2+、CI-,尤其是Ca2+
- ENa+、Cl-,尤其是Cl-
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()
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1、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是C1-EK+、Cl-、Na+,尤其是Cl-
2、兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的(
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的( )AK+、Na+,尤其是K+BK+、Na+,尤其是Na+CK+、Na+、Cl-,尤其是Cl-DCa2+、K+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Cl-,尤其是Cl-
3、IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()
IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()ANa+BCa2+CK+、Cl-,尤其是Cl-DNa+、K+、Cl-,尤其是K+ENa+、K+、Cl-,尤其是Na+
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。AK+、Cl-,尤其是K+BNa+、Cl-,尤其是Na+CK+、Cl-,尤其是Cl+DCa2+、Cl-,尤其是Ca2+ENa+、Cl-,尤其是Cl-
产生兴奋性突触后电位与后膜对哪种离子通透性增加有关()A[KBNaCCaDClEH
6、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+