对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了

1、晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。

晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。A正确B错误

2、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了

对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。A负离子空位B间隙正离子C间隙负离子DA或B

3、对于认知健全者而言，造成心理损害最严重的个人自理缺陷为（）

对于认知健全者而言，造成心理损害最严重的个人自理缺陷为（）A大小便失禁B言语困难C进食困难D转移困难E修饰困难

4、高价金属离子的去处常用的方法：（）、（）。

高价金属离子的去处常用的方法：（）、（）。

5、混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉

混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。

6、对于水处理而言，离子交换大致可定义为，（）。

对于水处理而言，离子交换大致可定义为，（）。