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二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓


二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。

  • A降低
  • B增加
  • C不变
  • D先降低后增加
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分类:集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
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