关系场效应

1、电力场效应管MOSFET（）现象。

电力场效应管MOSFET（）现象。AA、有二次击穿BB、无二次击穿CC、防止二次击穿DD、无静电击穿

2、半导体三极管与场效应管的一个重要区别是：三极管为（）控制元件，场效应管为（）

半导体三极管与场效应管的一个重要区别是：三极管为（）控制元件，场效应管为（）控制元件。

3、场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体

场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A正确B错误

4、更具结构不同，场效应管分为（）

更具结构不同，场效应管分为（）AN沟道和P沟道场效应管BNPN和PNP型场效应CMOS管和MNS管D结构和绝缘栅场效应管

5、晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电压间的相位关系为

晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电压间的相位关系为（）AA、均为同相BB、均为反相CC、前者为同相，后者为反相DD、前者为反相，后者为同相

6、场效应管是（）控制的器件。

场效应管是（）控制的器件。A电阻B电流C电压D功率